SPB18P06PGATMA1

تذکر: IR (Infineon Technologies) SPB18P06PGATMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	SIPMOS®
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	P-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	18.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	860 pF @ 25 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	81.1W (Ta)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	D²PAK (TO-263AB)
بسته بندی / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 4

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	SPB18P06PGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB10N10L IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2L-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2L03T IR (Infineon Technologies)
	SPB16N50C3ATMA1 Rochester Electronics
	SPB100N03S203T IR (Infineon Technologies)
	SPB160N04S2L03DTMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N04S2L-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB10N10LG Rochester Electronics

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.