IPB042N10N3GE8187ATMA1

تذکر: IR (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	OptiMOS™
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	3.5V @ 150µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	8410 pF @ 50 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	214W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	D²PAK (TO-263AB)
بسته بندی / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	IPB042N10N3GE8187ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB050N06NGATMA1 Rochester Electronics
	IPB03N03LB G IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPB015N08N5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB011N04NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB067N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB03N03LAG Rochester Electronics
	IPB072N15N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LAT IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.