IQE006NE2LM5ATMA1

تذکر: IR (Infineon Technologies) IQE006NE2LM5ATMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	*
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	41A (Ta), 298A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	650mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±16V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	5453 pF @ 12 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	2.1W (Ta), 89W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount, Wettable Flank
بسته دستگاه تأمین کننده	PG-TSON-8-4
بسته بندی / مورد	8-PowerTDFN

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 4218

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	IQE006NE2LM5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE006NE2LM5CGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE013N04LM6ATMA1 IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.