Rochester Electronics / FDH047AN08A0
تصویر برای مرجع است، لطفا برای دریافت تصویر واقعی با ما تماس بگیرید
FDH047AN08A0
| شماره قطعه سازنده: | FDH047AN08A0 |
| سازنده: | Rochester Electronics |
| بخشی از توضیحات: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 |
| جداول اطلاعاتی: | FDH047AN08A0 جداول اطلاعاتی |
| وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: | بدون سرب / سازگار با RoHS |
| وضعیت موجودی: | در انبار |
| ارسال از: | Hong Kong |
| راه حمل و نقل: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- تذکر
- Rochester Electronics FDH047AN08A0 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.
تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.
مشخصات
| تایپ کنید | شرح |
|---|---|
| سلسله | * |
| بسته بندی | Bulk |
| وضعیت قطعه | Active |
| نوع FET | N-Channel |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 75 V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 15A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 4V @ 250µA |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6.6 pF @ 25 V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف انرژی (حداکثر) | 310W (Tc) |
| دمای کار | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته دستگاه تأمین کننده | TO-247-3 |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 |
وضعیت سهام: 8135
کمترین: 1
| تعداد | قیمت واحد | خارج قیمت |
|---|---|---|
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ |
||
محاسبه بار
40 دلار آمریکا توسط FedEx.
3-5 روز دیگر می رسد
اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود
مدل های محبوب
 |
Rochester Electronics |
 |
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
 |
Rochester Electronics |
به سبد خرید اضافه شد!
این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.