BSZ42DN25NS3GATMA1

شماره قطعه سازنده:	BSZ42DN25NS3GATMA1
سازنده:	IR (Infineon Technologies)
بخشی از توضیحات:	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
جداول اطلاعاتی:	BSZ42DN25NS3GATMA1 جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: IR (Infineon Technologies) BSZ42DN25NS3GATMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	OptiMOS™
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	250 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	425mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 13µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	430 pF @ 100 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	33.8W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	PG-TSDSON-8
بسته بندی / مورد	8-PowerTDFN

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 31240

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	BSZ42DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ440N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.