HUF76629D3ST

شماره قطعه سازنده:	HUF76629D3ST
سازنده:	Rochester Electronics
بخشی از توضیحات:	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
جداول اطلاعاتی:	HUF76629D3ST جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: Rochester Electronics HUF76629D3ST در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	UltraFET™
بسته بندی	Bulk
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	20A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	52mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±16V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1.285 pF @ 25 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	110W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	TO-252AA
بسته بندی / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 72273

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	HUF76445S3ST Rochester Electronics
	HUF75307D3ST_NL Rochester Electronics
	HUF75637S3ST Rochester Electronics
	HUF76629D3ST Rochester Electronics
	HUF76105SK8T Rochester Electronics
	HUF75329S3 Rochester Electronics
	HUF75939S3ST Rochester Electronics
	HUF75321D3S Rochester Electronics
	HUF76139P3 Rochester Electronics
	HUF75337P3 Rochester Electronics

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.