2SJ649-AZ

شماره قطعه سازنده:	2SJ649-AZ
سازنده:	Renesas Electronics America
بخشی از توضیحات:	MOSFET P-CH 60V 20A TO220
جداول اطلاعاتی:	2SJ649-AZ جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: Renesas Electronics America 2SJ649-AZ در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	-
بسته بندی	Bulk
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	P-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	20A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	48mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	-
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1900 pF @ 10 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	2W (Ta), 25W (Tc)
دمای کار	150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تأمین کننده	TO-220 Isolated Tab
بسته بندی / مورد	TO-220-3 Isolated Tab

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 1436

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	2SJ681(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	2SJ649-AZ Renesas Electronics America
	2SJ650 Rochester Electronics
	2SJ652 Rochester Electronics
	2SJ670-TD-E Rochester Electronics
	2SJ665-DL-E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ654 Rochester Electronics
	2SJ652-1E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ661-DL-1E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ646-TL-E Rochester Electronics

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.