RM21N650T2

تذکر: Rectron USA RM21N650T2 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	-
بسته بندی	Tube
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	21A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	180mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	-
Vgs (حداکثر)	±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2600 pF @ 50 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	188W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تأمین کننده	TO-220-3
بسته بندی / مورد	TO-220-3

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.