IPD16CNE8N G

تذکر: IR (Infineon Technologies) IPD16CNE8N G در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	OptiMOS™
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
وضعیت قطعه	Obsolete
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	85 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	53A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	16mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 61µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3230 pF @ 40 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	100W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	PG-TO252-3
بسته بندی / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	IPD105N04LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD12CN10NG Rochester Electronics
	IPD100N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD180N10N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPD15N06S2L64ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N03LG Rochester Electronics
	IPD122N10N3GBTMA1 Rochester Electronics
	IPD127N06LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.