BSM180C12P2E202

تذکر: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	-
بسته بندی	Tray
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	204A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	-
Rds On (Max) @ Id، Vgs	-
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 35.2mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	-
Vgs (حداکثر)	+22V, -6V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	20000 pF @ 10 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	1360W (Tc)
دمای کار	175°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	Module
بسته بندی / مورد	Module

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 4

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.