FCP650N80Z

شماره قطعه سازنده:	FCP650N80Z
سازنده:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
بخشی از توضیحات:	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
جداول اطلاعاتی:	FCP650N80Z جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCP650N80Z در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	SuperFET® II
بسته بندی	Tube
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	800 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	10A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	650mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4.5V @ 800µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1565 pF @ 100 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	162W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تأمین کننده	TO-220
بسته بندی / مورد	TO-220-3

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 6572400

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	FCP600N65S3R0 Rochester Electronics
	FCP650N80Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FCP600N60Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.