BSB028N06NN3GXUMA1

تذکر: IR (Infineon Technologies) BSB028N06NN3GXUMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	OptiMOS™
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	22A (Ta), 90A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 102µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	12000 pF @ 30 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	2.2W (Ta), 78W (Tc)
دمای کار	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	MG-WDSON-2, CanPAK M™
بسته بندی / مورد	3-WDSON

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	BSB012NE2LXIXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB044N08NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB056N10NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB028N06NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB008NE2LXXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB015N04NX3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB019N03LX G IR (Infineon Technologies)
	BSB012NE2LX IR (Infineon Technologies)
	BSB014N04LX3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB024N03LX G IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.