G3R20MT12N

تذکر: GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	G3R™
بسته بندی	Tube
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	105A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	15V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	24mOhm @ 60A, 15V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	2.69V @ 15mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	219 nC @ 15 V
Vgs (حداکثر)	+20V, -10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	5873 pF @ 800 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	365W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	SOT-227
بسته بندی / مورد	SOT-227-4, miniBLOC

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 84

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.