G3R75MT12D

تذکر: GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	G3R™
بسته بندی	Tube
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	41A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	15V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	2.69V @ 7.5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (حداکثر)	±15V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1560 pF @ 800 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	207W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تأمین کننده	TO-247-3
بسته بندی / مورد	TO-247-3

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 529

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.