TPN7R506NH,L1Q

شماره قطعه سازنده:	TPN7R506NH,L1Q
سازنده:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
بخشی از توضیحات:	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
جداول اطلاعاتی:	TPN7R506NH,L1Q جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN7R506NH,L1Q در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	U-MOSVIII-H
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	26A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4V @ 200µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1800 pF @ 30 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	700mW (Ta), 42W (Tc)
دمای کار	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	8-TSON Advance (3.3x3.3)
بسته بندی / مورد	8-PowerVDFN

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	TPN7R506NH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN7R504PL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN7R006PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.