IMBG120R030M1HXTMA1

تذکر: IR (Infineon Technologies) IMBG120R030M1HXTMA1 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	CoolSiC™
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1.2 kV
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	56A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	-
Rds On (Max) @ Id، Vgs	41mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	5.7V @ 11.5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (حداکثر)	+18V, -15V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2.29 nF @ 800 V
ویژگی FET	Standard
اتلاف انرژی (حداکثر)	300W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	PG-TO263-7-12
بسته بندی / مورد	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

گزینه های خرید

وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	IMBG120R140M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R220M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R045M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R090M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R030M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R350M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R060M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.