SIS888DN-T1-GE3

تذکر: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	ThunderFET®
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	20.2A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	420 pF @ 75 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	52W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 150°C (TA)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تأمین کننده	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
بسته بندی / مورد	PowerPAK® 1212-8S

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 3097

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.