FDI030N06

شماره قطعه سازنده:	FDI030N06
سازنده:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
بخشی از توضیحات:	MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
جداول اطلاعاتی:	FDI030N06 جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDI030N06 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	PowerTrench®
بسته بندی	Tube
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	N-Channel
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	120A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن)	10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs	3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	4.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)	±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	9815 pF @ 25 V
ویژگی FET	-
اتلاف انرژی (حداکثر)	231W (Tc)
دمای کار	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تأمین کننده	I2PAK (TO-262)
بسته بندی / مورد	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 35

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	FDI047AN08A0 Rochester Electronics
	FDI045N10A Rochester Electronics
	FDI045N10A-F102 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDI025N06 Rochester Electronics
	FDI030N06 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDI038AN06A0_NL Rochester Electronics
	FDI040N06 Rochester Electronics
	FDI038AN06A0 Rochester Electronics

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.