A2G35S200-01SR3

شماره قطعه سازنده:	A2G35S200-01SR3
سازنده:	NXP Semiconductors
بخشی از توضیحات:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
جداول اطلاعاتی:	A2G35S200-01SR3 جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: NXP Semiconductors A2G35S200-01SR3 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	-
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع ترانزیستور	GaN HEMT
فرکانس	3.4GHz ~ 3.6GHz
کسب کردن	16.1dB
ولتاژ - تست	48 V
رتبه بندی فعلی (آمپر)	-
شکل سر و صدا	-
جریان - تست	291 mA
توان خروجی	180W
ولتاژ - دارای امتیاز	125 V
بسته بندی / مورد	NI-400S-2S
بسته دستگاه تأمین کننده	NI-400S-2S

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 182

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.