EPC2105

شماره قطعه سازنده:	EPC2105
سازنده:	EPC
بخشی از توضیحات:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
جداول اطلاعاتی:	EPC2105 جداول اطلاعاتی
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS:	بدون سرب / سازگار با RoHS
وضعیت موجودی:	در انبار
ارسال از:	Hong Kong
راه حمل و نقل:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

تذکر: EPC EPC2105 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	eGaN®
بسته بندی	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
ویژگی FET	GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	80V
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id، Vgs	14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
قدرت - حداکثر	-
دمای کار	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته بندی / مورد	Die
بسته دستگاه تأمین کننده	Die

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 554

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.