تصویر برای مرجع است، لطفا برای دریافت تصویر واقعی با ما تماس بگیرید
شماره قطعه سازنده: | SIZF906BDT-T1-GE3 |
سازنده: | Vishay / Siliconix |
بخشی از توضیحات: | DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: | بدون سرب / سازگار با RoHS |
وضعیت موجودی: | در انبار |
ارسال از: | Hong Kong |
راه حمل و نقل: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
تایپ کنید | شرح |
---|---|
سلسله | TrenchFET® Gen IV |
بسته بندی | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
وضعیت قطعه | Active |
نوع FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
ویژگی FET | Standard |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.2V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 49nC @ 10V, 165nC @ 10V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V |
قدرت - حداکثر | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته بندی / مورد | 8-PowerWDFN |
بسته دستگاه تأمین کننده | 8-PowerPair® (6x5) |
وضعیت سهام: حمل و نقل در همان روز
کمترین: 1
تعداد | قیمت واحد | خارج قیمت |
---|---|---|
![]() قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ |
40 دلار آمریکا توسط FedEx.
3-5 روز دیگر می رسد
اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود