BSM600D12P3G001

تذکر: ROHM Semiconductor BSM600D12P3G001 در chipnets.com موجود است. ما فقط قطعات جدید و اصلی را می فروشیم و 1 سال گارانتی ارائه می دهیم. اگر می خواهید در مورد محصولات بیشتر بدانید یا قیمت بهتری اعمال کنید، لطفا با ما تماس بگیرید، روی چت آنلاین کلیک کنید یا یک قیمت برای ما ارسال کنید.

تمام اجزای Eelctronics با حفاظت ضد الکتریسیته ساکن ESD بسیار ایمن بسته می شوند.

package

مشخصات

تایپ کنید	شرح
سلسله	-
بسته بندی	Bulk
وضعیت قطعه	Active
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
ویژگی FET	Silicon Carbide (SiC)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد	600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	-
Vgs (th) (حداکثر) @ Id	5.6V @ 182mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	-
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	31000pF @ 10V
قدرت - حداکثر	2450W (Tc)
دمای کار	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته بندی / مورد	Module
بسته دستگاه تأمین کننده	Module

گزینه های خرید

وضعیت سهام: 5

کمترین: 1

تعداد	قیمت واحد	خارج قیمت
قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ

محاسبه بار

40 دلار آمریکا توسط FedEx.

3-5 روز دیگر می رسد

اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود

مدل های محبوب

	BSM600D12P3G001 ROHM Semiconductor

این آیتم در سبد خرید شما اضافه شده است.