تصویر برای مرجع است، لطفا برای دریافت تصویر واقعی با ما تماس بگیرید
شماره قطعه سازنده: | SISHA14DN-T1-GE3 |
سازنده: | Vishay / Siliconix |
بخشی از توضیحات: | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: | بدون سرب / سازگار با RoHS |
وضعیت موجودی: | در انبار |
ارسال از: | Hong Kong |
راه حمل و نقل: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
تایپ کنید | شرح |
---|---|
سلسله | TrenchFET® Gen IV |
بسته بندی | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
وضعیت قطعه | Active |
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.2V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Vgs (حداکثر) | +20V, -16V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | PowerPAK® 1212-8SH |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® 1212-8SH |
وضعیت سهام: 5786
کمترین: 1
تعداد | قیمت واحد | خارج قیمت |
---|---|---|
![]() قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ |
40 دلار آمریکا توسط FedEx.
3-5 روز دیگر می رسد
اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود