تصویر برای مرجع است، لطفا برای دریافت تصویر واقعی با ما تماس بگیرید
شماره قطعه سازنده: | SISH615ADN-T1-GE3 |
سازنده: | Vishay / Siliconix |
بخشی از توضیحات: | MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK |
وضعیت بدون سرب / وضعیت RoHS: | بدون سرب / سازگار با RoHS |
وضعیت موجودی: | در انبار |
ارسال از: | Hong Kong |
راه حمل و نقل: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
تایپ کنید | شرح |
---|---|
سلسله | TrenchFET® Gen III |
بسته بندی | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
وضعیت قطعه | Active |
نوع FET | P-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20 V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 1.5V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
Vgs (حداکثر) | ±12V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | PowerPAK® 1212-8SH |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® 1212-8SH |
وضعیت سهام: 8005
کمترین: 1
تعداد | قیمت واحد | خارج قیمت |
---|---|---|
![]() قیمت در دسترس نیست، لطفا RFQ |
40 دلار آمریکا توسط FedEx.
3-5 روز دیگر می رسد
اکسپرس: (FEDEX، UPS، DHL، TNT) ارسال رایگان 0.5 کیلوگرم اول برای سفارش های بیش از 150 دلار، اضافه وزن به طور جداگانه هزینه می شود